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FGH50T65UPD Especificaciones técnicas

IGBT 650V 100A 340W TO-247AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 50A, 6 Ohm, 15V
Switching Energy 2.7mJ (on), 740µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 53ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 230nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
Td (on/off) @ 25°C 32ns/160ns
Supplier Device Package TO-247
Power - Max 340W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 650V 100A 340W Through Hole TO-247
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGH50N3 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 51636
FGH50N3 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 686
FGH50N3 ON Semiconductor IGBTs individuales
FGH50N6S2 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 1615
FGH50N6S2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 29289
FGH50N6S2 ON Semiconductor IGBTs individuales
FGH50N6S2 Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGH50N6S2D AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 13206
FGH50N6S2D Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 568
FGH50N6S2D ON Semiconductor IGBTs individuales

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