FGH30T65UPDT-F155 Especificaciones técnicas

IGBT 650V 60A 250W TO247-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 30A, 8 Ohm, 15V
Switching Energy 760µJ (on), 400µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 43ns
Packaging Tube
Other Names FGH30T65UPDT_F155 FGH30T65UPDT_F155-ND
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 650V 60A 250W Through Hole TO-247 Long Leads
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 22ns/139ns
Supplier Device Package TO-247 Long Leads
Power - Max 250W
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 155nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGH30N120FTD FSC CIs Calientes Especializados 32770
FGH30N120FTDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 4639
FGH30N120FTDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32729
FGH30N120FTDTU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGH30N120FTDTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGH30N60LSD FSC CIs Calientes Especializados 8355
FGH30N60LSDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 34450
FGH30N60LSDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 439
FGH30N60LSDTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGH30N60S2 FSC CIs Calientes Especializados 300

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