FGH25N120FTDS Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 50A 313W TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 535ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 169nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 26ns/151ns
Supplier Device Package TO-247
Power - Max 313W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 313W Through Hole TO-247
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGH25N120FTDS Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 1280
FGH25N120FTDS ON Semiconductor IGBTs individuales
FGH25T120 FCS CIs Calientes Especializados 20
FGH25T120SMD FSC CIs Calientes Especializados 453
FGH25T120SMD IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 329
FGH25T120SMD-F155 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2741
FGH25T120SMD-F155 ON Semiconductor IGBTs individuales
FGH25T120SMD_F155 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2550

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