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FGD3N60LSDTM Especificaciones técnicas

IGBT 600V 6A 40W DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 480V, 3A, 470 Ohm, 10V
Switching Energy 250µJ (on), 1mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 234ns
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FGD3N60LSDTM-ND FGD3N60LSDTMTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 44 Weeks
Input Type Standard
Gate Charge 12.5nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 25A
Base Part Number FGD3N60
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A
Td (on/off) @ 25°C 40ns/600ns
Supplier Device Package D-Pak
Power - Max 40W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 6A 40W Surface Mount D-Pak
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
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Otros incluyen   "FGD3N"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGD3N60LSD FSC CIs Calientes Especializados 5000
FGD3N60LSD MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 5465
FGD3N60LSDTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 98315
FGD3N60LSDTM ON Semiconductor IGBTs individuales
FGD3N60LSDTM-T AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 0
FGD3N60LSDTM-T ON Semiconductor IGBTs individuales
FGD3N60UNDF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 3143
FGD3N60UNDF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 559
FGD3N60UNDF ON Semiconductor IGBTs individuales

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