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FGA30S120P Especificaciones técnicas

IGBT 1300V 60A 348W TO3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1300V
Test Condition -
Switching Energy -
Power - Max 348W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 1300V 60A 348W Through Hole TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-3PN
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 78nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
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Otros incluyen   "FGA30"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA3060ADF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 3005
FGA3060ADF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 449
FGA3060ADF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA30N120FTD FSC CIs Calientes Especializados 32742
FGA30N120FTDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2540
FGA30N120FTDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2751
FGA30N120FTDTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA30N60LSD FSC CIs Calientes Especializados 9648
FGA30N60LSDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 3128
FGA30N60LSDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 5097

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