FGA180N33ATTU Especificaciones técnicas

IGBT 330V 180A 390W TO3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V
Test Condition -
Switching Energy -
Power - Max 390W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench
Detailed Description IGBT Trench 330V 180A 390W Through Hole TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max) 180A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 40A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-3P
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 169nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 450A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA180N30 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 20
FGA180N30D FSC CIs Calientes Especializados 517
FGA180N30DTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 3199
FGA180N30DTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 486
FGA180N30DTU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGA180N30DTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA180N33AT FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 376
FGA180N33ATB FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 2571
FGA180N33ATD FSC CIs Calientes Especializados 730
FGA180N33ATDTU FSC CIs Calientes Especializados 17756

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