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FDWS86068-F085 Especificaciones técnicas

NMOS PWR56 100V 5.8 MOHM

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 214W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2220pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 80A (Tc) 214W (Ta) Surface Mount 8-DFN (5.1x6.3)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-DFN (5.1x6.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4 mOhm @ 80A, 10V
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDWS86068-F085 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDWS86368-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2641
FDWS86368-F085 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDWS86368_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2544
FDWS86369-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3456
FDWS86369-F085 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDWS86369_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2509
FDWS86380-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2525
FDWS86380-F085 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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