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FDW264P Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 9.7A 8-TSSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7225pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 9.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.7A (Ta)
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Las siguientes partes incluyen  'FDW26' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDW2601NZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 10290
FDW2601NZ Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 10290
FDW2601NZ Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
FDW2601NZ ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
FDW2601NZ MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10521
FDW2601NZ_NL Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 10000
FDW2601_NL Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 80000
FDW262P AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23525
FDW262P Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 773
FDW262P MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 13252

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