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FDU6512A Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 10.7A, 4.5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1082pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
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Otros incluyen   "FDU65"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDU65' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDU6512A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10411
FDU6512A MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 392
FDU6530A F CIs Calientes Especializados 10110
FDU6530A MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10571

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