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FDU6030BL
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FDU6030BL Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 50W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 42A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1143pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 30V 10A (Ta), 42A (Tc) 3.8W (Ta), 50W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FDU60" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDU60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDU6030BL | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5000 |
FDU6030BL | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales |
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