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FDT55AN06LA0
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FDT55AN06LA0 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 8.9W (Tc) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1130pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 60V 12.1A (Tc) 8.9W (Tc) Surface Mount SOT-223-4 |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | SOT-223-4 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 11A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Other Names | FDT55AN06LA0DKR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.1A (Tc) |
FDT55AN06LA0 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDT55AN06LA0
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Hojas de datos
2.FDT55AN06LA0.pdf 1.FDT55AN06LA0.pdf
Otros incluyen "FDT55" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDT55'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDT55AN06LA0 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6318 |
FDT55AN06LA0 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 26106 |
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