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FDP085N10A Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V TO-220-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 188W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 96A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 96A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2695pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 96A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDP083N15A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5370
FDP083N15A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 24468
FDP083N15A IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 781
FDP083N15A-F102 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 516
FDP083N15A-F102 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDP083N15A_F102 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
FDP085N10A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25327
FDP085N10A IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 509
FDP085N10A MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1202
FDP085N10A-F102 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3598

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