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FDME410NZT Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta)
Package / Case 6-PowerUFDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package MicroFet 1.6x1.6 Thin
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 7A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDME410NZTTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 39 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1025pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 7A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDME410NZT

Otros incluyen   "FDME4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDME4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDME410NZT Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2666
FDME410NZT ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDME430NT AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2799
FDME430NT Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2611
FDME430NT ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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