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FDI040N06 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 231W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8235pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 60V 120A (Tc) 231W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDI040N06 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2792
FDI040N06 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDI040N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1731
FDI045N10A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2658
FDI045N10A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2783
FDI045N10A MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 592
FDI045N10A-F102 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 238
FDI045N10A-F102 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDI045N10A_F102 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2785
FDI047AN08A0 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2560

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