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FDG6308P Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series PowerTrench®
Power - Max 300mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 10V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDG6308PCT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-70-6
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Otros incluyen   "FDG63"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDG63' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDG6301 120K CIs Calientes Especializados 54764
FDG6301G FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2672
FDG6301N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 167678
FDG6301N Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2336
FDG6301N ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
FDG6301N IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 9413
FDG6301N MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1751
FDG6301N-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 50319
FDG6301N-F085 ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
FDG6301N-F085P AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2690

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