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FDD8778 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 35A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 35A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDD8778TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 42 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 13V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 25V 35A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDD8750 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 29100
FDD8750 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 29100
FDD8750 Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
FDD8750 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1088
FDD8770 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 53203
FDD8770 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 87069
FDD8770 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDD8770 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6402
FDD8778 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 79285
FDD8778 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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