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FDD3860 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 5.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDD3860TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1740pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
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Otros incluyen   "FDD38"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDD3860 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 42995
FDD3860 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDD3860 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 15619

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