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FDB6670AL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2440pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 80A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount TO-263AB
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDB6644 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 8183
FDB6644 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3517
FDB6644S FSC CIs Calientes Especializados 1847
FDB6670 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 8000
FDB6670A FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 2717
FDB6670AL Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1435
FDB6670AL ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB6670AL Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
FDB6670AL MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 805
FDB6670AL-NL FAIRCHIL CIs Calientes Especializados 2267

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