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FDB082N15A Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 294W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6040pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 150V 117A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount D²PAK
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 75A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDB082N15AFSCT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 117A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDB082N15A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 44121
FDB082N15A ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB082N15A MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 262
FDB082N15ATM Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 30
FDB088N08 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 35197
FDB088N08 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 35197
FDB088N08 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB088N08_F141 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2508
FDB08N150 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 587

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