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FDA62N28 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 280V 62A TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 280V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3PN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 31A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4630pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 280V 62A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3PN
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Otros incluyen   "FDA62"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDA620005 Diodes Incorporated Osciladores 2610
FDA620006 Diodes Incorporated Osciladores 2743
FDA620007 Diodes Incorporated Osciladores 2606
FDA620008 Diodes Incorporated Osciladores 2647
FDA620009 Diodes Incorporated Osciladores 2786
FDA620010 Diodes Incorporated Osciladores 2549
FDA62N28 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 333

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