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FDA18N50
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FDA18N50 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | UniFET™ |
Power Dissipation (Max) | 239W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 6 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2860pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 500V 19A (Tc) 239W (Tc) Through Hole TO-3PN |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-3PN |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265 mOhm @ 9.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
FDA18N50 Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FDA18" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDA18'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDA18N50 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5297 |
FDA18N50 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDA18N50 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 22967 |
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