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FCU3400N80Z Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET® II
Power Dissipation (Max) 32W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package I-PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 2A (Tc) 32W (Tc) Through Hole I-PAK
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCU3400N80Z Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2796
FCU3400N80Z ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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