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FCI25N60N-F102 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SupreMOS™
Power Dissipation (Max) 216W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3352pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 12.5A, 10V
Packaging Tube
Other Names FCI25N60N_F102 FCI25N60N_F102-ND
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'FCI25' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCI25N60N Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 611
FCI25N60N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2881
FCI25N60N IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 689
FCI25N60N-F102 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FCI25N60N_F102 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2583

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