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FCD620N60ZF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, Polar™
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620 mOhm @ 3.6A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FCD620N60ZFCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 52 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1135pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 7.3A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount DPAK
Base Part Number FCD620N60
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Otros incluyen   "FCD62"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FCD62' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCD620N60NF FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 32363
FCD620N60ZF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2533
FCD620N60ZF ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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