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FCB070N65S3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4.4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET® III
Power Dissipation (Max) 312W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3090pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 44A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 22A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FCB070N65S3-ND FCB070N65S3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCB070N65S3 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 259
FCB070N65S3 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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