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EMF18XV6T5G Especificaciones técnicas

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 60V
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 500mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 140MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-563
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
EMF18 ROHM CIs Calientes Especializados 32274
EMF18T2R ROHM CIs Calientes Especializados 8500
EMF18XV6T5G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT

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