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DTC123TM3T5G
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DTC123TM3T5G Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 260mW |
Package / Case | SOT-723 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-723 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "DTC12" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTC12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTC123-JS | ROHM | CIs Calientes Especializados | 605 |
DTC123ECA T116 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 600282 |
DTC123ECAHZGT116 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2653 |
DTC123ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTC123ECAT116 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2693 |
DTC123ECAT116 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTC123EE | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3294 |
DTC123EE TL | ROHM | CIs Calientes Especializados | 29427 |
DTC123EEBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTC123EET1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 30000 |
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