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DTA114TET1G Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-75, SOT-416
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTA1132KA ROHM CIs Calientes Especializados 24000
DTA1135EKAT146 ROHM CIs Calientes Especializados 3400
DTA113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 12000
DTA113EET1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2749
DTA113EM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA113TKA T146 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 11747
DTA113TKA T146 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 11783
DTA113TKAT146 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2608
DTA113TKAT146 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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