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DLA11C-TR-E
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DLA11C-TR-E Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 1.1A |
Supplier Device Package | - |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Package / Case | 2-SMD |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 1.1A |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "DLA11" partes
Las siguientes partes incluyen 'DLA11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DLA11C | Sanyo Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 8400 |
DLA11C-TR-E | ON Semiconductor | Rectificador de Diodo Monofásico |
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