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BUT12ATU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 450V 8A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V
Transistor Type NPN
Power - Max 100W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 8A 100W Through Hole TO-220-3
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Base Part Number BUT12A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1.2A, 6A
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BUT12 PH CIs Calientes Especializados 1189
BUT12A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5255
BUT12A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 10689
BUT12A ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BUT12A Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BUT12A. NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 80800
BUT12AF NXP CIs Calientes Especializados 22574
BUT12AF. NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 80800
BUT12AFI AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 80660
BUT12AI PH CIs Calientes Especializados 645

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