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BUL45D2 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 400V 5A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Transistor Type NPN
Power - Max 75W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 2A, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 400mA, 2A
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 13MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BUL45 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3238
BUL45 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BUL45D2 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BUL45D2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 453
BUL45D2G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
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