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BUD42D Especificaciones técnicas

TRANS NPN 350V 4A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V
Transistor Type NPN
Power - Max 25W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 2A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 500mA, 2A
Supplier Device Package DPAK-3
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BUD42D ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BUD42D-001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2662
BUD42D-001 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BUD42D-001G ON CIs Calientes Especializados 1059
BUD42D-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2527
BUD42D-1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BUD42D-1G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BUD42DG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2706
BUD42DG ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BUD42DG Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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