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BS107G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Supplier Device Package TO-92-3
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 Ohm @ 200mA, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BS107 INFINEO CIs Calientes Especializados 1236
BS107A AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 20417
BS107A MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1460
BS107AG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2620
BS107ARL1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2681
BS107ARL1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1233
BS107ARL1G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
BS107KL-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 3243
BS107P Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20318
BS107PSTOA Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2583

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