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BD680AS Especificaciones técnicas

TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 14W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 4A 14W Through Hole TO-126
Current - Collector Cutoff (Max) 500µA
Base Part Number BD680
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.8V @ 40mA, 2A
Supplier Device Package TO-126
Packaging Bulk
Other Names BD680AS-ND BD680ASFS
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 20 Weeks
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 2A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BD680 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 8246
BD680 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 83562
BD680 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD680 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BD680. TOS CIs Calientes Especializados 66850
BD680A STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 4371
BD680A Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BD680A-S FAIRCHI CIs Calientes Especializados 1371
BD680A. NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 58660
BD680AG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2799

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