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BD676AS Especificaciones técnicas

TRANS PNP DARL 45V 4A TO-126

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 14W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45V 4A 14W Through Hole TO-126
Current - Collector Cutoff (Max) 500µA
Base Part Number BD676
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.8V @ 40mA, 2A
Supplier Device Package TO-126
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 2A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BD676 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 483
BD676 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD67611FS-E2 ROHM CIs Calientes Especializados 2599
BD6761FS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 93
BD6761FS-E2 LAPIS Semiconductor PMIC - Controladores de Motores 4239
BD6761FS-E2 ROHM Semiconductor Controladores de Motor
BD6762FV ROHM CIs Calientes Especializados 661
BD6762FV-E2 LAPIS Semiconductor PMIC - Controladores de Motores 5865
BD6762FV-E2 ROHM Semiconductor Controladores de Motor
BD676A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2647

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