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BD439S
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BD439S Especificaciones técnicas
TRANS NPN 60V 4A TO-126
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 36W |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 12 Weeks |
Frequency - Transition | 3MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
Supplier Device Package | TO-126 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-126 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
Base Part Number | BD439 |
BD439S Documentos
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-
Hojas de datos
BD439S.pdf
Otros incluyen "BD439" partes
Las siguientes partes incluyen 'BD439'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BD439 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 10858 |
BD439 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
BD439/BD440 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 50471 |
BD439G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1161 |
BD439G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
BD439S | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 575 |
BD439S | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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