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BD435G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 32V 4A TO-225AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V
Transistor Type NPN
Power - Max 36W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package TO-225AA
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 3MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BD435 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 194129
BD435 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 194129
BD435 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BD435 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD435-16 ST CIs Calientes Especializados 5281
BD435G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD435N STMicroel CIs Calientes Especializados 6492
BD435S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 30499
BD435S Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 33564
BD435S ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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