BD241CTU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 100V 3A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 40W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 600mA, 3A
Supplier Device Package TO-220
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 40W Through Hole TO-220
Current - Collector Cutoff (Max) 300µA
Base Part Number BD241
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BD241 FSC CIs Calientes Especializados 1181
BD241-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2784
BD241A STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 13062
BD241A-A STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2756
BD241A-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2510
BD241A-S Bourns Inc. Transistores BJT individuales
BD241ATU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2596
BD241ATU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2653
BD241ATU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD241B FSC CIs Calientes Especializados 33784

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