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BD237G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 80V 2A TO-225

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Power - Max 25W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TO-225AA
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 3MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BD237 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2337
BD237 100-150 Cj CIs Calientes Especializados 5597
BD237 100-160 CJ CIs Calientes Especializados 28076
BD237 IC ST CIs Calientes Especializados 1388
BD237/BD238 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 50313
BD237G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD237STU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5472
BD237STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3210
BD237STU ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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