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BD159 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 350V 0.5A TO-225

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V
Transistor Type NPN
Power - Max 20W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package TO-225AA
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BD159 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD159G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2558
BD159G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD159STU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 529
BD159STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 6274
BD159STU ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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