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BD13710STU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 60V 1.5A TO-126

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.25W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1.5A 1.25W Through Hole TO-126
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Base Part Number BD137
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-126
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BD137 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2235
BD137 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD137-10 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 511
BD13710S Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2770
BD13710S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2770
BD13710S ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD13710STU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 4842
BD13710STU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD13716S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3053
BD13716S Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 659

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