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BCX70G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 45V 0.2A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type NPN
Power - Max 350mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 1.25mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-23-3
Packaging Original-Reel®
Other Names BCX70GDKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 200mA 125MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA
Base Part Number BCX70
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BCX70 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 3302
BCX70G Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 12381
BCX70G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BCX70G 215 NXP CIs Calientes Especializados 60500
BCX70G E6327 SOT23 CIs Calientes Especializados 8000
BCX70G,215 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2736
BCX70G,215 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales
BCX70GE6327 INFINEO CIs Calientes Especializados 18000
BCX70GE6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2557
BCX70GE6327HTSA1 Infineon Technologies Transistores BJT individuales

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