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BCV26 Especificaciones técnicas

TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 350mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30V 1.2A 220MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Base Part Number BCV26
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
Supplier Device Package SOT-23-3
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names BCV26FSCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 17 Weeks
Frequency - Transition 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.2A
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Otros incluyen   "BCV26"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BCV26 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2291
BCV26 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BCV26,215 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2601
BCV26,215 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales
BCV26,235 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2634
BCV26,235 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales
BCV26E-6327 SIEMENS CIs Calientes Especializados 9237
BCV26E6327 SIEMENS CIs Calientes Especializados 64407
BCV26E6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2629
BCV26E6327HTSA1 Infineon Technologies Transistores BJT individuales

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