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BCP56T1G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 80V 1A SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.5W
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 130MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BCP56 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 433067
BCP56 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5407
BCP56 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BCP56 ,115 NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 104294
BCP56 IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3276
BCP56 MOS Nexperia CIs Calientes Especializados 20254
BCP56,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 28000
BCP56,115 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales
BCP56-10 NXP CIs Calientes Especializados 20471
BCP56-10 ,115 IC NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 1495

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