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BC859BLT1 Especificaciones técnicas

TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP
Power - Max 300mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC859 Philips CIs Calientes Especializados 520500
BC859-B-RTK KEC CIs Calientes Especializados 3323
BC859-B-RTK/P KEC CIs Calientes Especializados 75281
BC859AMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 96239
BC859AMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 99451
BC859AMTF Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BC859AMTF ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC859AW PHILIPS CIs Calientes Especializados 6441
BC859B NXP CIs Calientes Especializados 670350
BC859B E6327 INFINEON CIs Calientes Especializados 12229

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