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BC849BLT3
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BC849BLT3 Especificaciones técnicas
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
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Otros incluyen "BC849" partes
Las siguientes partes incluyen 'BC849'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BC849 | ST | CIs Calientes Especializados | 27268 |
BC849-B-RTK | KEC | CIs Calientes Especializados | 81341 |
BC849-C-MTF | SAMSUNG | CIs Calientes Especializados | 15309 |
BC849AMTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 36200 |
BC849AMTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 9326 |
BC849AMTF | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
BC849AW RFG | TSC (Taiwan Semiconductor) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2654 |
BC849B | NXP | CIs Calientes Especializados | 49400 |
BC849B E6327 | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 3000 |
BC849B,215 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3000 |
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