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BC618G Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 55V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10000 @ 200mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.1V @ 200µA, 200mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC618 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 675
BC618 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC618,112 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2726
BC618G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC618RL1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2798
BC618RL1 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC618RL1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2667
BC618RL1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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