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BC517 Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30000 @ 20mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC517 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 99914
BC517 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC517,112 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2682
BC517,116 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2613
BC517-D74Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2729
BC517-D74Z ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC517/BC516 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1000403
BC517/P KEC CIs Calientes Especializados 1369
BC517G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5484
BC517G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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