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BC487G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 60V 0.5A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC487BG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2735
BC487BG ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC487BRL1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2740
BC487BRL1 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC487G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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