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BC373G Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.1V @ 250µA, 250mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC373 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1237
BC373 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC373G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC373RL1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2530
BC373RL1 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC373RL1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5238
BC373RL1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC373ZL1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2704
BC373ZL1 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC373ZL1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2670

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